מספר מוצר של יצרן:
IPC100N04S52R8ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPC100N04S52R8ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
מלאי:
4865 יחידות חדשות מק originales במלאי
12813056
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPC100N04S52R8ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 30µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-34
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IPC100
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPC100N04S52R8ATMA1-DG
2156-IPC100N04S52R8ATMA1
INFINFIPC100N04S52R8ATMA1
IPC100N04S52R8ATMA1CT
IPC100N04S52R8ATMA1TR
IPC100N04S52R8ATMA1DKR
SP001418102
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMS8333L
יצרן
onsemi
כמות זמינה
2597
DiGi מספר חלק
FDMS8333L-DG
מחיר ליחידה
0.48
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL40B209
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
IPI50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
IPB65R225C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3
