IPC100N04S51R9ATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPC100N04S51R9ATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPC100N04S51R9ATMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34

מלאי:

9880 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801779
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPC100N04S51R9ATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.4V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
65 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3770 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-34
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
IPC100

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
IPC100N04S51R9ATMA1TR
SP001360564
2156-IPC100N04S51R9ATMA1TR
IPC100N04S51R9ATMA1CT
IPC100N04S51R9ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IPB180P04P403ATMA1

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

infineon-technologies

IPI11N60C3AAKSA2

MOSFET N-CH I2PAK

infineon-technologies

BSS138WH6327XTSA1

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3

texas-instruments

CSD23382F4T

MOSFET P-CH 12V 3.5A 3PICOSTAR