מספר מוצר של יצרן:
IPB80P03P4L04ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB80P03P4L04ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12803740
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB80P03P4L04ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
80A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 253µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
160 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+5V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
11300 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
137W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB80P
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000396284
IPB80P03P4L-04-DG
IPB80P03P4L-04
IPB80P03P4L04ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD038N04NGBTMA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
IRFS4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
IRF9410TR
MOSFET N-CH 30V 7A 8SO