מספר מוצר של יצרן:
IPB65R380C6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB65R380C6ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 10.6A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12800795
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB65R380C6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10.6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 320µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
710 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB65R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB65R380C6ATMA1CT
IPB65R380C6DKR
IPB65R380C6CT
2156-IPB65R380C6ATMA1-ITTR-DG
IPB65R380C6
2156-IPB65R380C6ATMA1
SP000785084
INFINFIPB65R380C6ATMA1
IPB65R380C6DKR-DG
IPB65R380C6ATMA1TR
IPB65R380C6-DG
IPB65R380C6ATMA1DKR
IPB65R380C6TR-DG
IPB65R380C6CT-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB18N65M5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB18N65M5-DG
מחיר ליחידה
1.32
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STB13NM60N
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1000
DiGi מספר חלק
STB13NM60N-DG
מחיר ליחידה
2.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB048N15N5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
IPB160N04S3H2ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPD14N06S280ATMA1
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3