מספר מוצר של יצרן:
IPB65R045C7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB65R045C7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 46A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
13064014
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB65R045C7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ C7
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Discontinued at Digi-Key
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
46A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1.25mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
93 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4340 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB65R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB65R045C7ATMA1CT
2156-IPB65R045C7ATMA1TR
SP000929420
IPB65R045C7ATMA1TR
IPB65R045C7ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPB65R045C7ATMA2
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
1636
DiGi מספר חלק
IPB65R045C7ATMA2-DG
מחיר ליחידה
6.96
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IPB60R060P7ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
891
DiGi מספר חלק
IPB60R060P7ATMA1-DG
מחיר ליחידה
2.85
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD530N15N3GBTMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
IPB45N04S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
IPW60R041C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
