מספר מוצר של יצרן:
IPB60R950C6ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R950C6ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 4.4A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
12800973
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R950C6ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
CoolMOS™ C6
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
950mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 130µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
280 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
37W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPB60R950C6ATMA1-ITTR
IPB60R950C6ATMA1TR
INFINFIPB60R950C6ATMA1
IPB60R950C6
IPB60R950C6DKR
IPB60R950C6ATMA1CT
IPB60R950C6TR-DG
IPB60R950C6CT-DG
SP000660620
IPB60R950C6-DG
IPB60R950C6ATMA1-DG
IPB60R950C6CT
IPB60R950C6ATMA1DKR
IPB60R950C6DKR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB6N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
11994
DiGi מספר חלק
STB6N60M2-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPD60R950C6ATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4797
DiGi מספר חלק
IPD60R950C6ATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
IPP16CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 53A TO220-3
IPDH4N03LAG
MOSFET N-CH 25V 90A TO252-3
