מספר מוצר של יצרן:
IPB60R060C7ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB60R060C7ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 35A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
מלאי:
877 יחידות חדשות מק originales במלאי
12859992
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB60R060C7ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolMOS™ C7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 800µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2850 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
162W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK (TO-263)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB60R060
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001385008
IPB60R060C7ATMA1-DG
IPB60R060C7ATMA1TR
IPB60R060C7ATMA1CT
IPB60R060C7ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT2116H-EL-E
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
NTMFS4839NHT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
IRFI540GPBF
MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3