מספר מוצר של יצרן:
IPB600N25N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB600N25N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 250V 25A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 250 V 25A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
4968 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804282
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB600N25N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
250 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
25A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 90µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2350 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB600
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB600N25N3GATMA1CT
IPB600N25N3 GCT-DG
IPB600N25N3 GTR-DG
IPB600N25N3 G
SP000676408
IPB600N25N3 GCT
IPB600N25N3 GDKR
IPB600N25N3GATMA1DKR
IPB600N25N3GATMA1TR
IPB600N25N3 G-DG
IPB600N25N3G
IPB600N25N3 GDKR-DG
IPB600N25N3 GTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF520NSTRL
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IPD25DP06LMSAUMA1
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
IRFR5505CPBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK