מספר מוצר של יצרן:
IPB50N10S3L16ATMA2
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB50N10S3L16ATMA2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
מלאי:
12989490
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB50N10S3L16ATMA2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS®-T
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3-2
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPB50N10S3L16ATMA2TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
C3M0120065L-TR
SIC, MOSFET, 120M, 650V, TOLL, I
C3M0045065L-TR
SIC, MOSFET, 45M, 650V, TOLL, IN
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
