מספר מוצר של יצרן:
IPB120N04S4L02ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
994 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803367
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB120N04S4L02ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
190 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14560 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
158W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPB120N04S4L02ATMA1
INFINFIPB120N04S4L02ATMA1
SP000979924
448-IPB120N04S4L02ATMA1DKR
IPB120N04S4L02ATMA1-DG
448-IPB120N04S4L02ATMA1TR
448-IPB120N04S4L02ATMA1CT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
PSMN1R1-40BS,118
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
3918
DiGi מספר חלק
PSMN1R1-40BS,118-DG
מחיר ליחידה
1.44
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDB9406-F085
יצרן
onsemi
כמות זמינה
784
DiGi מספר חלק
FDB9406-F085-DG
מחיר ליחידה
2.08
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF1404ZGPBF
MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
IPU64CN10N G
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
IPSA70R600CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
