מספר מוצר של יצרן:
IPB120N04S401ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB120N04S401ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
1863 יחידות חדשות מק originales במלאי
12805523
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB120N04S401ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
176 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
188W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB120N04S4-01
IPB120N04S4-01-DG
IPB120N04S401ATMA1DKR
2156-IPB120N04S401ATMA1
SP000705700
IFEINFIPB120N04S401ATMA1
IPB120N04S401ATMA1CT
IPB120N04S401ATMA1TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL2703PBF
MOSFET N-CH 30V 24A TO220AB
IRFSL7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A TO262
IRFB3004GPBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
