מספר מוצר של יצרן:
IPB039N10N3GE8187ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB039N10N3GE8187ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
מלאי:
12800462
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB039N10N3GE8187ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
160A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 160µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
117 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8410 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
IPB039
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187DKR
IPB039N10N3GE8187ATMA1CT
IPB039N10N3GE8187
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR
IPB039N10N3GE8187ATMA1DKR
IPB039N10N3 G E8187DKR-DG
IPB039N10N3 G E8187-DG
SP000939340
IPB039N10N3 G E8187TR-DG
IPB039N10N3 G E8187CT
IPB039N10N3 G E8187CT-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPB039N10N3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
29647
DiGi מספר חלק
IPB039N10N3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPD60R180C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
