מספר מוצר של יצרן:
IPB027N10N5ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB027N10N5ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
מלאי:
2407 יחידות חדשות מק originales במלאי
12804574
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB027N10N5ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 184µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
139 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10300 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-3
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IPB027
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB027N10N5ATMA1CT
INFINFIPB027N10N5ATMA1
SP001227034
2156-IPB027N10N5ATMA1
IPB027N10N5ATMA1TR
IPB027N10N5ATMA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFR3706TR
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRF1407L
MOSFET N-CH 75V 100A TO262
IRFB7434PBF
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB