מספר מוצר של יצרן:
IPB020N04NGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB020N04NGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 140A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
מלאי:
3448 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799769
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB020N04NGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
140A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 95µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9700 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
167W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7-3
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
IPB020
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPB020N04NGATMA1TR
2156-IPB020N04NGATMA1
IPB020N04N GDKR-DG
IFEINFIPB020N04NGATMA1
IPB020N04NGATMA1DKR
IPB020N04N GCT
IPB020N04N GDKR
IPB020N04N GTR-DG
IPB020N04NG
SP000359157
IPB020N04NGATMA1CT
IPB020N04N GCT-DG
IPB020N04N G-DG
IPB020N04N G
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDB024N04AL7
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
29849
DiGi מספר חלק
FDB024N04AL7-DG
מחיר ליחידה
2.73
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
BTS282ZAKSA1
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
BSC520N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8-5