מספר מוצר של יצרן:
IPB017N06N3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPB017N06N3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
מלאי:
9000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800328
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPB017N06N3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
180A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 196µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
275 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
23000 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO263-7
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
IPB017
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP000434404
IPB017N06N3 G
IPB017N06N3G
IPB017N06N3 GCT
IPB017N06N3 GCT-DG
IPB017N06N3 G-DG
IPB017N06N3GATMA1DKR
IPB017N06N3 GTR-DG
IPB017N06N3GATMA1TR
IPB017N06N3 GDKR
IPB017N06N3 GTR
IPB017N06N3GATMA1CT
IPB017N06N3 GDKR-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSF045N03MQ3 G
MOSFET N-CH 30V 18A/63A 2WDSON
IPC045N10L3X1SA1
MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL
IPD050N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
