IPA95R750P7XKSA1
מספר מוצר של יצרן:

IPA95R750P7XKSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPA95R750P7XKSA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 950V 9A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 950 V 9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

מלאי:

12802612
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPA95R750P7XKSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
950 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
750mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 220µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
23 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
712 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA95R750

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SP001792304
448-IPA95R750P7XKSA1
IPA95R750P7XKSA1-DG
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IRF3710SPBF

MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK

infineon-technologies

AUIRLR3636

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK

infineon-technologies

BSO065N03MSGXUMA1

MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO

infineon-technologies

IPP65R600E6XKSA1

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3