מספר מוצר של יצרן:
IPA70R900P7SXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA70R900P7SXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 6A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 20.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
386 יחידות חדשות מק originales במלאי
12803415
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA70R900P7SXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
6.8 nC @ 400 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
211 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA70R900
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPA70R900P7S
IFEINFIPA70R900P7SXKSA1
SP001600942
2156-IPA70R900P7SXKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC218N04N3X7SA1
MV POWER MOS
IPC30S2SN08NX2MA1
MV POWER MOS
IPB60R299CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
