מספר מוצר של יצרן:
IPA70R360P7SXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA70R360P7SXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 12.5A (Tc) 26.4W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
מלאי:
544 יחידות חדשות מק originales במלאי
12851486
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA70R360P7SXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 150µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.4 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
517 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
26.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA70R360
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001499698
448-IPA70R360P7SXKSA1
IPA70R360P7SXKSA1-DG
2156-IPA70R360P7SXKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS123LT3G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
MCH6436-TL-E
MOSFET N-CH 30V 6A 6MCPH
FDMC6675BZ
MOSFET P-CH 30V 9.5A/20A 8MLP
