מספר מוצר של יצרן:
IPA60R360P7SE8228XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R360P7SE8228XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12804421
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R360P7SE8228XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 140µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
555 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
22W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R360
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPA60R360P7SE8228XKSA1
IPA60R360P7SE8228XKSA1-DG
SP002367774
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPA60R360P7SXKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3734
DiGi מספר חלק
IPA60R360P7SXKSA1-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL3502STRLPBF
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
IRF6215SPBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
IPP80P03P4L04AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3