מספר מוצר של יצרן:
IPA60R280CFD7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R280CFD7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
80 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800536
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R280CFD7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ CFD7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 180µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
18 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
807 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
24W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R280
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPA60R280CFD7XKSA1-DG
SP001634136
448-IPA60R280CFD7XKSA1
IPA60R280CFD7
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC60R280P7X7SA1
MOSFET N-CH DIE
IPA180N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
BSC016N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
