מספר מוצר של יצרן:
IPA60R125P6XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R125P6XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
מלאי:
12800186
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R125P6XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 960µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2660 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
34W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
INFINFIPA60R125P6XKSA1
SP001114652
2156-IPA60R125P6XKSA1
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TSM60NB099CF C0G
יצרן
Taiwan Semiconductor Corporation
כמות זמינה
905
DiGi מספר חלק
TSM60NB099CF C0G-DG
מחיר ליחידה
4.11
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
R6024VNXC7G
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1073
DiGi מספר חלק
R6024VNXC7G-DG
מחיר ליחידה
2.16
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA029N06NXKSA1
MOSFET N-CH 60V 84A TO220-FP
IPP048N06L G
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
