מספר מוצר של יצרן:
IPA60R120P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA60R120P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 26A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
מלאי:
188 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800353
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA60R120P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
120mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 410µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
36 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1544 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA60R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPA60R120P7XKSA1
IFEINFIPA60R120P7XKSA1
SP001658376
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB80P04P4L08ATMA1
MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
IPI90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
