מספר מוצר של יצרן:
IPA320N20NM3SXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPA320N20NM3SXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 26A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 26A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
מלאי:
13276471
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPA320N20NM3SXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™3
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
32mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 89µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2300 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
38W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220 Full Pack
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
IPA320
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IPA320N20NM3SXKSA1
SP001953018
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA052N08NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 80V 64A TO220
IPB60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 14A TO263-3-2
IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
