מספר מוצר של יצרן:
IMW65R048M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW65R048M1HXKSA1-DG
תיאור:
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
1480 יחידות חדשות מק originales במלאי
12822516
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW65R048M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSIC™ M1
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
64mOhm @ 20.1A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1118 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IMW65R048
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005398439
448-IMW65R048M1HXKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRL520NL
MOSFET N-CH 100V 10A TO262
IPZ40N04S58R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON-32
IXTT60N10
MOSFET N-CH 100V 60A TO268
