מספר מוצר של יצרן:
IMW120R220M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R220M1HXKSA1-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
1290 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800959
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R220M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
286mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 1.6mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.5 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -7V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
289 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
75W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IMW120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001946188
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31