מספר מוצר של יצרן:
IMW120R090M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R090M1HXKSA1-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
344 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800732
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R090M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
26A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 3.7mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
21 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -7V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
707 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
115W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IMW120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IMW120R090M1HXKSA1-448
SP001946164
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSZ100N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
BSS119NH6433XTMA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
IPB049N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
