מספר מוצר של יצרן:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
תיאור:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
מלאי:
1690 יחידות חדשות מק originales במלאי
12801405
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMW120R030M1HXKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolSiC™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
56A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5.7V @ 10mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
63 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+23V, -7V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2120 pF @ 800 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
227W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3-41
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IMW120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
