מספר מוצר של יצרן:
IMT65R039M1HXTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IMT65R039M1HXTMA1-DG
תיאור:
SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
תיאור מפורט:
מלאי:
12969004
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IMT65R039M1HXTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
*
סטטוס המוצר
Discontinued at Digi-Key
מספר מוצר בסיסי
IMT65R
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IMT65R039M1HXTMA1TR
SP005551138
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IMBG65R072M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
IAUC60N10S5L110ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
