IGOT60R070D1AUMA3
מספר מוצר של יצרן:

IGOT60R070D1AUMA3

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IGOT60R070D1AUMA3-DG

תיאור:

GANFET N-CH
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-DSO-20-87

מלאי:

1105 יחידות חדשות מק originales במלאי
12995044
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IGOT60R070D1AUMA3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
CoolGaN™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
GaNFET (Gallium Nitride)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.6V @ 2.6mA
VGS (מקס')
-10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
380 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-DSO-20-87
חבילה / מארז
20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IGOT60R070D1AUMA3TR
448-IGOT60R070D1AUMA3DKR
SP005557207
448-IGOT60R070D1AUMA3CT
חבילה סטנדרטית
800

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
micro-commercial-components

BSS84A-TP

Interface

toshiba-semiconductor-and-storage

XPQ1R004PB,LXHQ

40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM