מספר מוצר של יצרן:
IAUS300N08S5N012ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IAUS300N08S5N012ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
מלאי:
2284 יחידות חדשות מק originales במלאי
12851283
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IAUS300N08S5N012ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 275µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
231 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
16250 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-HSOG-8-1
חבילה / מארז
8-PowerSMD, Gull Wing
מספר מוצר בסיסי
IAUS300
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IAUS300N08S5N012ATMA1TR
IAUS300N08S5N012ATMA1DKR
IAUS300N08S5N012ATMA1CT
SP001643336
IFEINFIAUS300N08S5N012ATMA1
2156-IAUS300N08S5N012ATMA1
חבילה סטנדרטית
1,800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS6675BZ
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
BSZ058N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
