מספר מוצר של יצרן:
IAUC45N04S6L063HATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IAUC45N04S6L063HATMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 40V 45A 8TDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 40V 45A (Tj) 41W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-57
מלאי:
12982973
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IAUC45N04S6L063HATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
45A (Tj)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.3mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 9µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
775pF @ 25V
הספק - מקס'
41W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-57
מספר מוצר בסיסי
IAUC45
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP004134516
448-IAUC45N04S6L063HATMA1DKR
448-IAUC45N04S6L063HATMA1TR
448-IAUC45N04S6L063HATMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SH8JC5TB1
MOSFET 2P-CH 60V 7.5A 8SOP
IRFI4212H-117PXKMA1
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
QH8JC5TCR
MOSFET 2P-CH 60V 3.5A TSMT8
