מספר מוצר של יצרן:
IAUC100N08S5N034ATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IAUC100N08S5N034ATMA1-DG
תיאור:
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 132A (Tj) 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
מלאי:
12968720
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IAUC100N08S5N034ATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
132A (Tj)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 78µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
66 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4559 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TDSON-8-34
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
448-IAUC100N08S5N034ATMA1TR
SP005423080
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPDQ60R075CFD7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
IPDQ60R022S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
IAUA210N10S5N024AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5