מספר מוצר של יצרן:
BTS110NKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BTS110NKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12799911
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
AfCc
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BTS110NKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
TEMPFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BTS110NKSA1-IT
SP000011184
BTS110-DG
INFINFBTS110NKSA1
BTS110
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRL520NPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
4018
DiGi מספר חלק
IRL520NPBF-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
IPB50CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
IPA80R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 800V 5A TO220
