מספר מוצר של יצרן:
BTS110E3045ANTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BTS110E3045ANTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 10A (Tc) Surface Mount TO-220AB
מלאי:
12800249
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BTS110E3045ANTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
TEMPFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 1mA
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BTS110 E3045A-DG
BTS110E3045ANTMA1TR
BTS110 E3045A
SP000011183
BTS110E3045AT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB19NF20
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
STB19NF20-DG
מחיר ליחידה
0.62
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPC95R1K2P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPB230N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
IPB097N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 70A D2PAK
