מספר מוצר של יצרן:
BSZ215CHXTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ215CHXTMA1-DG
תיאור:
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5.1A, 3.2A 2.5W Surface Mount PG-TSDSON-8
מלאי:
7895 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799118
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ215CHXTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
N and P-Channel Complementary
תכונת FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.1A, 3.2A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 110µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.8nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
419pF @ 10V
הספק - מקס'
2.5W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8
מספר מוצר בסיסי
BSZ215
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
448-BSZ215CHXTMA1DKR
BSZ215CHXTMA1-DG
INFINFBSZ215CHXTMA1
SP001277210
2156-BSZ215CHXTMA1
448-BSZ215CHXTMA1TR
448-BSZ215CHXTMA1CT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSO203PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8DSO
BSO612CVGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
DF11MR12W1M1B11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
