בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
צרפת
ספרד
טורקיה
מולדובה
ליטא
נורווגיה
גרמניה
פורטוגל
סלובקיה
לטלי
פינלנד
רוסית
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
סרביה ומונטנגרו
בלרוס
הולנד
שוודיה
מונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
רומניה
אוסטריה
בלגיה
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
קונגו - קינשאסה
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
אנגולה
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ארגנטינה
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
BSZ165N04NSGATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ165N04NSGATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 8.9A (Ta), 31A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12801975
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ165N04NSGATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8.9A (Ta), 31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
16.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 10µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
10 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
840 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
BSZ165N04NSGATMA1
גיליון נתונים של HTML
BSZ165N04NSGATMA1-DG
מידע נוסף
שמות אחרים
BSZ165N04NSGINTR-DG
BSZ165N04NSGINDKR-DG
IFEINFBSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NS G
BSZ165N04NSG
BSZ165N04NSGATMA1DKR
BSZ165N04NSGINDKR
SP000391523
BSZ165N04NSGINCT-DG
BSZ165N04NSGATMA1CT
BSZ165N04NSGINCT
BSZ165N04NSGXT
2156-BSZ165N04NSGATMA1
BSZ165N04NSGINTR
BSZ165N04NSGATMA1TR
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC15N06
יצרן
onsemi
כמות זמינה
3000
DiGi מספר חלק
FDMC15N06-DG
מחיר ליחידה
0.63
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3G100GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
112698
DiGi מספר חלק
RQ3G100GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSC054N04NSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
31911
DiGi מספר חלק
BSC054N04NSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
IRF7413ZTR
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO