מספר מוצר של יצרן:
BSZ12DN20NS3GATMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ12DN20NS3GATMA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
מלאי:
3866 יחידות חדשות מק originales במלאי
12829322
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ12DN20NS3GATMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
125mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 25µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
680 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TSDSON-8
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
BSZ12DN20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GATMA1DKR
BSZ12DN20NS3GATMA1TR
BSZ12DN20NS3GCT
IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1
BSZ12DN20NS3GDKR
SP000781784
BSZ12DN20NS3GATMA1CT
BSZ12DN20NS3G
BSZ12DN20NS3GTR
BSZ12DN20NS3 G
BSZ12DN20NS3GTR-DG
BSZ12DN20NS3GCT-DG
BSZ12DN20NS3GDKR-DG
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC12DN20NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
11979
DiGi מספר חלק
BSC12DN20NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.52
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN2R1-40PLQ
MOSFET N-CH 40V 150A TO220AB
BUK9Y09-40B,115
MOSFET N-CH 40V 75A LFPAK56
PMN30UNEX
MOSFET N-CH 20V 4.8A 6TSOP
