מספר מוצר של יצרן:
BSZ0910NDXTMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSZ0910NDXTMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A WISON-8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 1.9W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PG-WISON-8
מלאי:
12799617
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSZ0910NDXTMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.6nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
800pF @ 15V
הספק - מקס'
1.9W (Ta), 31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
חבילת מכשירים לספקים
PG-WISON-8
מספר מוצר בסיסי
BSZ0910
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-BSZ0910NDXTMA1-448
BSZ0910NDXTMA1-DG
BSZ0910NDXTMA1CT
BSZ0910NDXTMA1TR
BSZ0910NDXTMA1DKR
SP001699886
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSC0924NDIATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC0993NDATMA1
MOSFET 2N-CH 17A TISON8
BSO4804
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
