מספר מוצר של יצרן:
BSS314PEH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSS314PEH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
מלאי:
37184 יחידות חדשות מק originales במלאי
12799029
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSS314PEH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 6.3µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
2.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
294 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
BSS314
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSS314PE H6327CT-DG
BSS314PEH6327XTSA1CT
BSS314PEH6327XTSA1TR
BSS314PE H6327DKR
BSS314PEH6327XTSA1DKR
BSS314PE H6327CT
BSS314PE H6327-DG
BSS314PE H6327DKR-DG
SP000928944
BSS314PE H6327
BSS314PE H6327TR-DG
BSS314PEH6327
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS7728NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
