מספר מוצר של יצרן:
BSS214NH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSS214NH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
מלאי:
367727 יחידות חדשות מק originales במלאי
12842547
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSS214NH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 3.7µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.8 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
143 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
BSS214
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSS214N H6327
SP000928936
BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-DG
BSS214N H6327-DG
BSS214N H6327TR-DG
BSS214NH6327XTSA1TR
BSS214N H6327DKR-DG
BSS214NH6327
BSS214NH6327XTSA1CT
BSS214NH6327XTSA1DKR
BSS214N H6327DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NVMFS5C442NLWFAFT1G
MOSFET N-CH 40V 29A/130A 5DFN
NVMFS5H663NLWFT1G
MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
NDB7051
MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK
