מספר מוצר של יצרן:
BSS126IXTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSS126IXTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5
מלאי:
4729 יחידות חדשות מק originales במלאי
12945948
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSS126IXTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
21mA (Ta)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.6V @ 8µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
1.4 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
21 pF @ 25 V
תכונת FET
Depletion Mode
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT23-3-5
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
BSS126
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP005425148
448-BSS126IXTSA1TR
448-BSS126IXTSA1DKR
448-BSS126IXTSA1CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STU60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
IMBG120R350M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
