BSS123NH6433XTMA1
מספר מוצר של יצרן:

BSS123NH6433XTMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSS123NH6433XTMA1-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

מלאי:

94164 יחידות חדשות מק originales במלאי
12857070
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSS123NH6433XTMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
190mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.8V @ 13µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
20.9 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
BSS123

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSS123NH6433XTMA1TR
SP000939268
BSS123NH6433XTMA1DKR
BSS123NH6433XTMA1CT
חבילה סטנדרטית
10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

NTP75N03L09

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

onsemi

NVMFS5C426NT1G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

NVTFS5C673NLTAG

MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8WDFN

onsemi

NTB6410ANG

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK