מספר מוצר של יצרן:
BSP613PH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP613PH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
6365 יחידות חדשות מק originales במלאי
12824162
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP613PH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
33 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
875 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
BSP613
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP613PH6327XTSA1TR
BSP613PH6327XTSA1CT
BSP613PH6327XTSA1DKR
SP001058788
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3402-TP
MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
AUIRFR3504TRL
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
