מספר מוצר של יצרן:
BSP373NH6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP373NH6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
7841 יחידות חדשות מק originales במלאי
12800708
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP373NH6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
240mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 218µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
265 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
BSP373
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP373NH6327XTSA1CT
BSP373NH6327XTSA1DKR
BSP373NH6327XTSA1TR
BSP373NH6327XTSA1-DG
SP001059328
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
