מספר מוצר של יצרן:
BSP324H6327XTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP324H6327XTSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 400 V 170mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
3626 יחידות חדשות מק originales במלאי
12832338
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP324H6327XTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
400 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
170mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 94µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
154 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
מספר מוצר בסיסי
BSP324
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001058786
2156-BSP324H6327XTSA1
BSP324H6327XTSA1TR
BSP324H6327XTSA1DKR
BSP324H6327XTSA1CT
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN1R1-40BS,118
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
PSMN5R5-60YS,115
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
BSP615S2L
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223-4
