BSP321PL6327HTSA1
מספר מוצר של יצרן:

BSP321PL6327HTSA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSP321PL6327HTSA1-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223-4
תיאור מפורט:
P-Channel 100 V 980mA (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

מלאי:

12850620
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

BSP321PL6327HTSA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
980mA (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
900mOhm @ 980mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 380µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
319 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4-21
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
BSP321P L6327-DG
BSP321PL6327HTSA1TR
SP000212228
BSP321P L6327
חבילה סטנדרטית
1,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
BSP321PH6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
875
DiGi מספר חלק
BSP321PH6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
onsemi

FDY102PZ

MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3

onsemi

FQD5N40TF

MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

onsemi

FDMC8015L

MOSFET N-CH 40V 7A/18A 8MLP

onsemi

FQA90N08

MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN