מספר מוצר של יצרן:
BSP315PL6327HTSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP315PL6327HTSA1-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 1.17A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
מלאי:
12835835
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP315PL6327HTSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.17A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
800mOhm @ 1.17A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 160µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
160 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4-21
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP315P L6327
BSP315PL6327
BSP315PL6327INDKR-DG
BSP315PL6327HTSA1TR
2156-BSP315PL6327HTSA1-ITTR
BSP315PL6327INTR
BSP315PL6327XT
BSP315PL6327HTSA1CT
BSP315PL6327INDKR
BSP315PL6327INTR-DG
BSP315PL6327INCT
BSP315P L6327-DG
SP000089221
BSP315PL6327INCT-DG
INFINFBSP315PL6327HTSA1
BSP315PL6327HTSA1DKR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSP315PH6327XTSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
30933
DiGi מספר חלק
BSP315PH6327XTSA1-DG
מחיר ליחידה
0.28
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMP6250SE-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
4740
DiGi מספר חלק
DMP6250SE-13-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDC602P_F095
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
IRLW630ATM
MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
