מספר מוצר של יצרן:
BSP299H6327XUSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSP299H6327XUSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
מלאי:
12799395
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSP299H6327XUSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
SIPMOS®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
400mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.8W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-SOT223-4
חבילה / מארז
TO-261-4, TO-261AA
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
BSP299H6327XUSA1CT
BSP299H6327XUSA1DKR
2156-BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
BSP299H6327XUSA1-DG
BSP299H6327XUSA1TR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFRC20TRPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5703
DiGi מספר חלק
IRFRC20TRPBF-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6