BSP129E6327T

מספר מוצר של יצרן:

BSP129E6327T

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

BSP129E6327T-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4

תיאור מפורט:

N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12845630

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

BSP129E6327T מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Infineon Technologies

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

SIPMOS®

סטטוס המוצר

Discontinued at Digi-Key

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

240 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

350mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

0V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

1V @ 108µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

5.7 nC @ 5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

108 pF @ 25 V

תכונת FET

Depletion Mode

פיזור כוח (מרבי)

1.8W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

PG-SOT223-4

חבילה / מארז

TO-261-4, TO-261AA

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

BSP129E6327T-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

BSP129XTINTR

BSP129XTINCT

חבילה סטנדרטית

1,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

BSP129H6327XTSA1

יצרן

Infineon Technologies

כמות זמינה

4926

DiGi מספר חלק

BSP129H6327XTSA1-DG

מחיר ליחידה

0.29

סוג משאב

Parametric Equivalent

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

alpha-and-omega-semiconductor

AO4494

MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AON7556

MOSFET N-CH 30V 12A/12A 8DFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOW12N50

MOSFET N-CH 500V 12A TO262

onsemi

NDBA180N10BT4H

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK