מספר מוצר של יצרן:
BSO330N02KGFUMA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
BSO330N02KGFUMA1-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5.4A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
מלאי:
12802034
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSO330N02KGFUMA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
-
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.4A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 20µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4.9nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
730pF @ 10V
הספק - מקס'
1.4W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
PG-DSO-8
מספר מוצר בסיסי
BSO330N02
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IFEINFBSO330N02KGFUMA1
BSO330N02K GINDKR-DG
BSO330N02K G-DG
2156-BSO330N02KGFUMA1-ITTR
BSO330N02KGFUMA1TR
BSO330N02KGFUMA1DKR
BSO330N02K G
BSO330N02K GINTR
SP000380284
BSO330N02K GINCT
BSO330N02KG
BSO330N02K GINDKR
BSO330N02K GINCT-DG
BSO330N02KGFUMA1CT
BSO330N02K GINTR-DG
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDS9926A
יצרן
onsemi
כמות זמינה
9224
DiGi מספר חלק
FDS9926A-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMN2041LSD-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
4949
DiGi מספר חלק
DMN2041LSD-13-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSO303PNTMA1
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
BSO615N
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8DSO
BSL315PL6327HTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A TSOP6-6
